合肥科晶OTF-1200X-S-HPCVD 1200℃坩埚可移动型管式炉

● 采用PID30段程序化控温，其控温精度为+/-1℃
● 设有过热和断偶保护
● 热电偶采用K型热电偶
 

● 采用KF结构密封法兰，硅胶密封圈密封
● 法兰上安装有一机械压力表
● 右端法兰与一个真空不锈钢波纹管连接（不锈钢波纹管大伸缩幅度为150mm)
● 真空度：10-2Torr(用机械泵抽）  10-5Torr(用分子泵抽）
 

● 一个直径为1/4＂的欧米伽铠装热电偶（K型），通过法兰伸入到炉管中，并可随坩埚移动，可实时监测样品的实际温度。
● 通过步进电机移动炉管内的坩埚（样品台），大行程为100mm，移动精度为1mm
● 通过触摸屏设定坩埚一定的距离和目标位置，坩埚移动速度为180mm/min(移动速度，可与本公司联系定制，需额外收费）
● 可观察下图，了解坩埚与热电偶的安装方法
 

可通过移动样品到已预加热的炉体中来得到大的加热速率，也可将样品迅速移除高温的炉体，来得到的降温速率

             加热速率:                                                         降温速率
             10℃/sec (150℃ - 250℃);                                      10℃/sec (950℃ - 900℃);
              7℃/sec (250℃ - 350℃);                                        7℃/sec (900℃ - 850℃);
              4℃/sec (350℃ - 500℃);                                        4℃/sec (850℃ - 750℃);
              3℃/sec (500℃ - 550℃);                                        2℃/sec (750℃ - 600℃);
              2℃/sec (550℃ - 650℃);                                        1.5℃/sec (600℃ - 500℃);
              1℃/sec (650℃ - 800℃);                                        1℃/sec (500℃ - 400℃);
              0.5℃/sec (800℃ - 1000℃)                                     0.5℃/sec (400℃ - 300℃);
                                                          

● 可选购手动挡板阀
● 防腐型数显真空计
● 快速连接法兰，以方便于放置样品
● 多路质量流量计控制的混气系统，用于CVD和DVD实验
 

可选配石英气体喷嘴，将反应气体与缓冲清洗气体分开通入，可有效减少副反应发生，实现高端CVD工艺，如局部控制前体浓度化学气相沉积工艺（ALC CVD）或单晶二维材料薄膜的生长工艺等。
 

● 此款设备可用于多种实验，以下列出了几种实验方法
   RTE（快速热蒸发）：蒸发料放在坩埚中，放入到炉体中心，基片放在样品台上，样品台与热电偶相连接，然后将样品台移动到理想的位置（此位置温度是实验所需要的温度）
   HPCVD（混合物理化学沉积）：与RTE相似，但需配混气系统，对反应气体混合并控制流量，同时也需设定蒸发料的位置（确定蒸发料的蒸发温度） 

   水平布里奇曼（Bridgman）法来长晶体：将样品和籽晶放入到坩埚中，并将坩埚放入到炉体中心位置，然后设定坩埚移动速度，慢慢移动坩埚。

所有电器元件（>24V）都通过UL / MET / CSA认证/ CE认证 ,若客户出认证费用，本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证